%High BW Ge p-i-n Photo detector on Si, M. Oehme et al, APL 2006 \OIL 009 detector detector 1 \LAYER1 MAT:Si LEN:10um WID:10um IND:3.46 \END LAYER1 \LAYER2 MAT:Ge-p-i-n IND:4.25 LEN:10um WID:10um THI:0.307um \TOP1 DR:40Gbps BW:39GHz VB:2.0V WW:1.55um LEN:10um WID:10um \END TOP1 \TOP2 BER:1.0e-10 BW:25GHz DR:10Gbps EC:6mW EbC:0.6pJ/bit LEN:10um VB:0.0V WID:10um WW:1.55um \END TOP2